用半導(dǎo)體硅集成電路工藝制備壓力傳感器已有30多年歷史了，隨著市場(chǎng)需求其每年以20%的速度增長(zhǎng)，競(jìng)爭(zhēng)十分劇烈，但仍存在以下問(wèn)題迫切需要解決，并應(yīng)引起注意：

　　(1)電阻非線性問(wèn)題突出。力敏電阻依靠p-n結(jié)與襯底隔離，在P區(qū)側(cè)的耗盡層寬度與外加電壓有關(guān)，故電阻條的有效導(dǎo)電厚度隨外加電壓而變化，表現(xiàn)為非線性，并直接導(dǎo)致零點(diǎn)的電漂移。

　　(2)零點(diǎn)電漂移。壓力傳感器的特性指標(biāo)除眾所周知的幾個(gè)之外，我們?cè)谏习俅螌?duì)國(guó)內(nèi)外不同品種的壓力傳感器進(jìn)行測(cè)定時(shí)，均發(fā)現(xiàn)了零點(diǎn)電漂移現(xiàn)象，在國(guó)際上我們是領(lǐng)先觀察到并給予定義的。零點(diǎn)電漂移影響壓力傳感器的測(cè)量精度，使靈敏度大大降低。

　　(3)熱零點(diǎn)漂移與漏電問(wèn)題。熱零點(diǎn)漂移是影響壓力傳感器性能的重要指標(biāo)，受到廣泛重視。國(guó)際上認(rèn)為熱零點(diǎn)漂移僅取決于力敏電阻的不等性及其溫度非線性，但我們認(rèn)為熱零點(diǎn)漂移還與力敏電阻的反向漏電有關(guān)，對(duì)該理論作出了重要補(bǔ)充，還指出多晶硅可以吸除襯底中的重金屬雜質(zhì)，從而減小力敏電阻的反向漏電、改善熱零點(diǎn)漂移，提高傳感器。